В следующем году компания Intel готова начать поставки на рынок твердотельной памяти с трёхмерной структурой нового поколения. Cовместное предприятие с Micron Technology – IMFT – запустит массовое производство чипов 3D V-NAND флэш-памяти ёмкостью 256 или 384 Гб. Новые 32-слойные микросхемы Intel способны создавать плотность размещения информации вдвое больше, чем конкурирующие решения Samsung.

Один кристалл памяти типа MLC может хранить 32 Гб информации, а при использовании памяти типа TLC объём хранения достигает 48 Гб. Твердотельные накопители для серверного применения, способные хранить до 10 терабайт информации, Intel обещает выпустить в ближайшие два года.

Подобные накопители предназначаются прежде всего для серверного сегмента рынка. Но и мобильные компьютеры также смогут хранить до 1 Тб информации на SSD, не жертвуя при этом толщиной корпуса и другими габаритами. А кроме увеличения ёмкости накопителей, переход на 32-слойные микросхемы позволит снизить удельную себестоимость хранения одного гигабайта информации.

Твердотельная память сейчас занимает 20% рынка накопителей, но к 2018 году она, по расчётам Intel, может занять 50% рынка в сегменте ноутбуков и до 35% серверного рынка.